ひずみSiってなかなかすごい

とある勉強会で発表が回ってきた。
Physical Description of Strained Siというテーマで、Si系FETの移動度向上技術の有望株として「ひずみ」技術を概観。
やっぱりというか当然というか、材料物性まで立ち返らないといけないので固体物理に強くないと難しいっすね。
あとは、ひずみとか応力を扱うということなので弾性体の力学の知識も当然必要になってくるわけで。
質点とか剛体の力学しかやった記憶がない身としては、まずテンソルの概念で軽くつまずいてしまいました。（先輩も同じとこで嫌になったらしい）
これまであまり馴染みのなかった分野の論文を読み漁るってのは大変だけど、いろいろ新しい発見もあって中々楽しいもんだなぁと。
ひずみの技術では日本の企業や大学も結構頑張ってて一定のプレゼンスを保っているので、その辺もよさげです。
最近ではpMOSの移動度向上が著しく、もはやnMOSとの電流駆動力のアンバランスも解消されつつあってすごいもんです。
後は、接合リーク電流や雑音、特性ばらつきの問題がどうなるかなぁといったところです。
このあたりも良くできればアナログ回路なんかにも適応できていくはず何ですけどね。